IXUN350N10

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IXUN350N10概述

SOT-227B N-CH 100V 350A

底座安装 N 通道 350A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 350A 4-Pin SOT-227B


IXUN350N10中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 830W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 350A

输入电容Ciss 27000pF @25VVds

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXUN350N10
型号: IXUN350N10
制造商: IXYS Semiconductor
描述:SOT-227B N-CH 100V 350A
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