IXBOD1-21RD

IXBOD1-21RD图片1
IXBOD1-21RD图片2
IXBOD1-21RD中文资料参数规格
技术参数

电路数 3

保持电流Max 30 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 Radial

外形尺寸

高度 19 mm

封装 Radial

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 高电压

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBOD1-21RD
型号: IXBOD1-21RD
制造商: IXYS Semiconductor
描述:高压触发二极管 1 Amps 2100V
替代型号IXBOD1-21RD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXBOD1-21RD

IXYS Semiconductor

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