IXTM21N50

IXTM21N50图片1
IXTM21N50概述

TO-204AE N-CH 500V 21A

N-Channel Enhancement Mode

Features

International standard packages

Low RDS onHDMOS™ process

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance < 5 nH

\- easy to drive and to protect

Fast switching times

Applications

Switch-mode and resonant-mode power supplies

Motor controls

Uninterruptible Power Supplies UPS

DC choppers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin2+Tab TO-204AE


IXTM21N50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 21.0 A

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTM21N50
型号: IXTM21N50
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-204AE N-CH 500V 21A
替代型号IXTM21N50
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