ISL28276FBZ中文资料参数规格
技术参数
供电电流 120 µA
电路数 2
通道数 2
共模抑制比 115 dB
带宽 400 kHz
转换速率 170 nV/μs
增益频宽积 400 kHz
输入补偿电压 20 µV
输入偏置电流 500 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
增益带宽 400 kHz
共模抑制比Min 90 dB
电源电压Max 5 V
电源电压Min 2.4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL28276FBZ引脚图与封装图 
在线购买ISL28276FBZ
替代型号ISL28276FBZ
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ISL28276FBZ Intersil 英特矽尔 | 当前型号 | 当前型号 |
ISL28276FBZ-T7 英特矽尔 | 完全替代 | ISL28276FBZ和ISL28276FBZ-T7的区别 |
TSV992AIDT 意法半导体 | 功能相似 | ISL28276FBZ和TSV992AIDT的区别 |