IXTP220N055T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP220N055T概述

TO-220AB N-CH 55V 220A

N-Channel 55V 220A Tc 430W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 55V 220A TO220AB

贸泽:
MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 220A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 220A TO-220

IXTP220N055T中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 430 W

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 220A

上升时间 62 ns

输入电容Ciss 7200pF @25VVds

下降时间 53 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 430W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP220N055T

型号： IXTP220N055T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220AB N-CH 55V 220A

替代型号IXTP220N055T