IRF640,127

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IRF640,127概述

TO-220AB N-CH 200V 16A

N-Channel 200V 16A Tc 136W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB


贸泽:
MOSFET RAIL PWR-MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IRF640,127中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 136W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

下降时间 38 ns

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF640,127
型号: IRF640,127
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-220AB N-CH 200V 16A
替代型号IRF640,127
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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