IRFR110ATF

IRFR110ATF图片1
IRFR110ATF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.70 A

上升时间 14 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFR110ATF
型号: IRFR110ATF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号IRFR110ATF
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