Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin2+Tab D2PAK
Description
Fifth Generation HEXFETs from utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced Process Technology
• Surface Mount IRFZ24NS
• Low-profile through-hole IRFZ24NL
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated
• Lead-Free
额定电压DC 55.0 V
额定电流 17.0 A
额定功率 45 W
漏源极电阻 70 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRFZ24NS
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 34.0 ns
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
封装 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 End of Life
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFZ24NSPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
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