TO-3P N-CH 75V 200A
N-Channel 75V 200A Tc 430W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 75V 200A TO3P
贸泽:
MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3-Pin3+Tab TO-3P
通道数 1
漏源极电阻 5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 430 W
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
额定功率Max 430 W
下降时间 52 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 430W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTQ200N075T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTH200N075T IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTQ200N075T和IXTH200N075T的区别 |
IXTA200N075T7 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTQ200N075T和IXTA200N075T7的区别 |
IXTP200N075T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTQ200N075T和IXTP200N075T的区别 |