IXTP76N075T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP76N075T概述

TO-220 N-CH 75V 76A

N-Channel 75V 76A Tc 176W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 76A 3-Pin3+Tab TO-220

Win Source:
MOSFET N-CH 75V 76A TO-220

IXTP76N075T中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 12.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 176W Tc

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75.0 V

连续漏极电流Ids 76.0 A

输入电容Ciss 2580pF @25VVds

耗散功率Max 176W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP76N075T

型号： IXTP76N075T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220 N-CH 75V 76A

替代型号IXTP76N075T