先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
BVDSS = 200 V
RDSon = 0.046Ω
ID = 3.3 A
FEATURES
♦Avalanche Rugged Technology
♦Rugged Gate Oxide Technology
♦Lower Input Capacitance
♦Improved Gate Charge
♦Extended Safe Operating Area
♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 200V
♦Lower RDSON:1.185ΩTyp.
得捷:
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
立创商城:
N沟道 200V 3.3A
贸泽:
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
额定电压DC 200 V
额定电流 3.30 A
漏源极电阻 1.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 33 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.30 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 240pF @25VVds
额定功率Max 33 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 33W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRL610A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQP4N20L 飞兆/仙童 | 类似代替 | IRL610A和FQP4N20L的区别 |