IXTV18N60PS参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXTV18N60PS图片1

IXTV18N60PS图片2

IXTV18N60PS概述

Trans MOSFET N-CH 600V 18A

表面贴装型 N 通道 600 V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS-220SMD

得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS-220SMD

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A

IXTV18N60PS中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 18.0 A

耗散功率 360W Tc

输入电容 2.50 nF

栅电荷 49.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PLUS-220SMD

外形尺寸

封装 PLUS-220SMD

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTV18N60PS

型号： IXTV18N60PS

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 18A

替代型号IXTV18N60PS

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXTV18N60PS IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXTQ18N60P IXYS Semiconductor	完全替代	IXTV18N60PS和IXTQ18N60P的区别
IXTV18N60P IXYS Semiconductor	完全替代	IXTV18N60PS和IXTV18N60P的区别
IXFV18N60PS IXYS Semiconductor	类似代替	IXTV18N60PS和IXFV18N60PS的区别