N沟道 100V 13A
N-Channel 100V 13A Tc 2.5W Ta, 46W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
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N沟道 100V 13A
贸泽:
MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin 2+Tab TO-252 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
额定电压DC 100 V
额定电流 13.0 A
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 755pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 46W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLR130ATM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLR130ATF 飞兆/仙童 | 完全替代 | IRLR130ATM和IRLR130ATF的区别 |
STD10NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | IRLR130ATM和STD10NF10T4的区别 |
IPD78CN10N G 英飞凌 | 功能相似 | IRLR130ATM和IPD78CN10N G的区别 |