ISL9N306AP3参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL9N306AP3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 9.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISL9N306AP3

型号： ISL9N306AP3

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

替代型号ISL9N306AP3