N沟道 100V 8.4A
N-Channel 100V 8.4A Tc 2.5W Ta, 32W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
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N沟道 100V 8.4A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
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Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin 3+Tab IPAK Rail
额定电压DC 100 V
额定电流 8.40 A
漏源极电阻 200 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 32W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.40 A
输入电容Ciss 480pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 32W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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