IXTQ200N085T参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXTQ200N085T概述

Trans MOSFET N-CH 85V 200A 3Pin3+Tab TO-3P

N-Channel 85V 200A Tc 480W Tc Through Hole TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 85V 200A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 85V 200A 3-Pin3+Tab TO-3P

IXTQ200N085T中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 480 W

漏源极电压Vds 85 V

输入电容Ciss 7600pF @25VVds

额定功率Max 480 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 480W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ200N085T

型号： IXTQ200N085T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 85V 200A 3Pin3+Tab TO-3P