IXTP200N075T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP200N075T概述

TO-220 N-CH 75V 200A

N-Channel 75V 200A Tc 430W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 75V 200A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3-Pin3+Tab TO-220

Win Source:
MOSFET N-CH 75V 200A TO-220

IXTP200N075T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 430W Tc

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 200A

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

耗散功率Max 430W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP200N075T

型号： IXTP200N075T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220 N-CH 75V 200A

替代型号IXTP200N075T