IXFX66N50Q2

IXFX66N50Q2图片1
IXFX66N50Q2图片2
IXFX66N50Q2图片3
IXFX66N50Q2图片4
IXFX66N50Q2概述

Trans MOSFET N-CH 500V 66A 3Pin3+Tab PLUS 247

N-Channel 500V 66A Tc 735W Tc Through Hole PLUS247™-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3


贸泽:
MOSFET 66 Amps 500V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 66A 3-Pin3+Tab PLUS 247


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247


IXFX66N50Q2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 74 mΩ

耗散功率 735 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 9125pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 735W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX66N50Q2
型号: IXFX66N50Q2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 66A 3Pin3+Tab PLUS 247
替代型号IXFX66N50Q2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFX66N50Q2

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

FDH44N50

安森美

功能相似

IXFX66N50Q2和FDH44N50的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台