IRF6691TR1

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IRF6691TR1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0012 Ω

耗散功率 2.8 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 7

封装 DirectFET-7

外形尺寸

宽度 5.05 mm

封装 DirectFET-7

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: IRF6691TR1
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:INTERNATIONAL RECTIFIER IRF6691TR1 MOSFET Transistor, N Channel, 32A, 20V, 0.0012Ω, 10V, 2.5V

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