IXTL2X200N085T

IXTL2X200N085T图片1
IXTL2X200N085T概述

ISOPLUS N-CH 85V 112A

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 85V 112A 150W 通孔 ISOPLUSi5-Pak™


得捷:
MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK


贸泽:
MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 85V 112A 5-Pin ISOPLUS i5-Pac


IXTL2X200N085T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 85 V

连续漏极电流Ids 112A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 7600pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 64 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-i4-PAK-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.21 mm

高度 26.42 mm

封装 ISOPLUS-i4-PAK-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTL2X200N085T
型号: IXTL2X200N085T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:ISOPLUS N-CH 85V 112A

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