IRFW640BTM_FP001

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IRFW640BTM_FP001中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 145 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 145 ns

下降时间 110 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFW640BTM_FP001
型号: IRFW640BTM_FP001
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin D2PAK
替代型号IRFW640BTM_FP001
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFW640BTM_FP001

Fairchild 飞兆/仙童

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