ISL9N303AP3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 75.0 A
漏源极电阻 2.60 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 215W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
输入电容Ciss 7000pF @15VVds
耗散功率Max 215W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买ISL9N303AP3
型号： ISL9N303AP3
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET的30V ， 75A ， 3.2mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз