IRLM210ATF

IRLM210ATF图片1
IRLM210ATF图片2
IRLM210ATF图片3
IRLM210ATF图片4
IRLM210ATF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 770 mA

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 770 mA

输入电容Ciss 240pF @25VVds

耗散功率Max 1.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRLM210ATF
型号: IRLM210ATF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.77A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R
替代型号IRLM210ATF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRLM210ATF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STN4NF20L

意法半导体

功能相似

IRLM210ATF和STN4NF20L的区别

FQT4N20LTF

飞兆/仙童

功能相似

IRLM210ATF和FQT4N20LTF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台