IXTV200N10TS参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTV200N10TS概述

PLUS220 N-CH 100V 200A

N-Channel 100V 200A Tc 550W Tc Surface Mount PLUS-220SMD

得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin2+Tab PLUS220 SMD

IXTV200N10TS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 550W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 200A

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

耗散功率Max 550W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PLUS-220SMD

外形尺寸

封装 PLUS-220SMD

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTV200N10TS

型号： IXTV200N10TS

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS220 N-CH 100V 200A

替代型号IXTV200N10TS