IXTP182N055T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP182N055T概述

TO-220AB N-CH 55V 182A

Trans MOSFET N-CH 55V 182A 3-Pin3+Tab TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 182A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Online Components:
Trans MOSFET N-CH 55V 182A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 182A TO-220

IXTP182N055T中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 5.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

连续漏极电流Ids 182 A

输入电容Ciss 4850pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP182N055T

型号： IXTP182N055T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220AB N-CH 55V 182A

替代型号IXTP182N055T