IXFV16N80PS概述
PLUS220 N-CH 800V 16A
N-Channel Enhancement Mode
Fast Recovery Diode
Avalanche Rated
Features
Fast Recovery diode
Unclamped Inductive Switching UIS rated
International standard packages
Low package inductance
\- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
得捷:
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS-220SMD
贸泽:
MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin2+Tab PLUS220 SMD
IXFV16N80PS中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 600 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 4600pF @25VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PLUS-220-SMD-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 15 mm
高度 4.7 mm
封装 PLUS-220-SMD-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXFV16N80PS