IPD105N03LGATMA1概述
DPAK N-CH 30V 35A
表面贴装型 N 通道 30 V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin2+Tab TO-252
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
IPD105N03LGATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 38W Tc
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1500pF @15VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPD105N03LGATMA1