ISL9N302AP3概述
N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
N-Channel 30V 75A Tc 345W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
立创商城:
N沟道 30V 75A
贸泽:
MOSFET N-Channel PWM Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Win Source:
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N302AP3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 75.0 A
漏源极电阻 1.90 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 345 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 75.0 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 11000pF @15VVds
额定功率Max 345 W
下降时间 34 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 345W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买ISL9N302AP3
型号： ISL9N302AP3
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs