IRLM110ATF

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IRLM110ATF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRLM110ATF  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V

N-Channel 100V 1.5A Tc 2.2W Tc Surface Mount SOT-223-4


得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4


立创商城:
N沟道 100V 1.5A


贸泽:
MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRLM110ATF  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223


IRLM110ATF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 1.50 A

针脚数 4

漏源极电阻 440 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 235pF @25VVds

额定功率Max 2.2 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.8 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRLM110ATF
型号: IRLM110ATF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRLM110ATF  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V

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