IRF6618TR1

HEXFET功率MOSFET特殊应用的MOSFET非常适于CPU核心的DC-DC转换器低传导损耗低开关损耗薄型（<0.7毫米）双面冷却双兼容与现有的表面贴装echniques的兼容

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 170A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.002Ω/Ohm @30A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.35V-2.35V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.8W Description & Applications| HEXFET
Power MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile <0.7 mm Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount echniques 描述与应用| HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 低开关损耗 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面贴装echniques的兼容