IPI100N08N3GHKSA1

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IPI100N08N3GHKSA1概述

TO-262 N-CH 80V 70A

通孔 N 通道 80 V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


IPI100N08N3GHKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 70A

输入电容Ciss 2410pF @40VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPI100N08N3GHKSA1
描述:TO-262 N-CH 80V 70A

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