先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
Advanced Power MOSFET
FEATURES
♦Logic-Level Gate Drive
♦Avalanche Rugged Technology
♦Rugged Gate Oxide Technology
♦Lower Input Capacitance
♦Improved Gate Charge
♦Extended Safe Operating Area
♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 100V
♦Lower RDSON: 0.336ΩTyp.
贸泽:
MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Win Source:
Advanced Power MOSFET
额定电压DC 100 V
额定电流 14.0 A
通道数 1
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 62 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 755pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 62W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99