IPI50CN10NGHKSA1

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IPI50CN10NGHKSA1概述

TO-262 N-CH 100V 20A

N-Channel 100V 20A Tc 44W Tc Through Hole PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3


IPI50CN10NGHKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 44W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 20A

输入电容Ciss 1090pF @50VVds

耗散功率Max 44W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI50CN10NGHKSA1
型号: IPI50CN10NGHKSA1
描述:TO-262 N-CH 100V 20A

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