IPB049N06L3GATMA1

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IPB049N06L3GATMA1概述

D2PAK N-CH 60V 80A

表面贴装型 N 通道 80A(Tc) 115W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3


IPB049N06L3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 115W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 8400pF @30VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB049N06L3GATMA1
型号: IPB049N06L3GATMA1
描述:D2PAK N-CH 60V 80A
替代型号IPB049N06L3GATMA1
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