IPB034N06N3GATMA1

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IPB034N06N3GATMA1概述

D2PAK N-CH 60V 100A

表面贴装型 N 通道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7


IPB034N06N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 167W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 11000pF @30VVds

额定功率Max 167 W

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB034N06N3GATMA1
型号: IPB034N06N3GATMA1
描述:D2PAK N-CH 60V 100A
替代型号IPB034N06N3GATMA1
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