IRF540参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF540中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 22.0 A

漏源极电阻 49.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 85W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 870pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： IRF540

描述：N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET

替代型号IRF540

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF540 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STD70N10F4 意法半导体	功能相似	IRF540和STD70N10F4的区别
NTB6411ANT4G 安森美	功能相似	IRF540和NTB6411ANT4G的区别
NTB6412ANT4G 安森美	功能相似	IRF540和NTB6412ANT4G的区别