IRF530参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF530中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 14.0 A

漏源极电阻 180 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 458pF @25VVds

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IRF530

型号： IRF530

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

替代型号IRF530

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF530 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
IRF520NPBF 英飞凌	功能相似	IRF530和IRF520NPBF的区别
IRF531 Harris	功能相似	IRF530和IRF531的区别
RFP12N10 Harris	功能相似	IRF530和RFP12N10的区别