IRF520参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF520中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.0 A

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 460pF @25VVds

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IRF520

型号： IRF520

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

替代型号IRF520

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替代型号对比

IRF520

ST Microelectronics 意法半导体

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当前型号

IRF520PBF

Vishay Siliconix

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IRF520和IRF520PBF的区别