半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
**MOSFET & IGBT Gate Drivers, Half-Bridge, Infineon**
A range of High-Side and Low-Side Half-Bridge MOSFET & IGBT Gate Driver ICs from Infineon
得捷:
HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRI
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
艾睿:
Driver 600V 0.35A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Allied Electronics:
Half-Bridge Driver 600V 350mA SOIC8
Verical:
Driver 600V 0.35A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
电源电压DC 10.0V min
输出接口数 2
耗散功率 0.625 W
上升时间 220 ns
下降时间 80 ns
下降时间Max 80 ns
上升时间Max 220 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17