IRS2101SPBF

IRS2101SPBF图片1
IRS2101SPBF图片2
IRS2101SPBF图片3
IRS2101SPBF图片4
IRS2101SPBF图片5
IRS2101SPBF图片6
IRS2101SPBF图片7
IRS2101SPBF图片8
IRS2101SPBF图片9
IRS2101SPBF图片10
IRS2101SPBF图片11
IRS2101SPBF图片12
IRS2101SPBF图片13
IRS2101SPBF图片14
IRS2101SPBF图片15
IRS2101SPBF图片16
IRS2101SPBF图片17
IRS2101SPBF概述

MOSFET DRVR 600V 0.6A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC Tube

Description

The IRS2101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 V.

Features

• Floating channel designed for bootstrap operation

• Fully operational to +600 V

• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

• Gate drive supply range from 10 V to 20 V

• Undervoltage lockout

• 3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible

• Matched propagation delay for both channels

• Outputs in phase with inputs

• RoHS compliant

IRS2101SPBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 20.0V max

输出接口数 2

输出电压 620 V

输出电流 290 mA

耗散功率 0.625 W

产品系列 IRS2101

上升时间 170 ns

下降时间 90 ns

下降时间Max 90 ns

上升时间Max 170 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IRS2101SPBF
型号: IRS2101SPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:MOSFET DRVR 600V 0.6A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC Tube

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台