IRS21851SPBF概述
高边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A
High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
得捷:
SINGLE HIGH SIDE DRIVER IC
艾睿:
Driver 600V 4A 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 600V 4A 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
IRS21851SPBF中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 10.0V min
输出接口数 1
输出电压 620 V
耗散功率 1.25 W
产品系列 IRS21851
上升时间 40 ns
下降时间 40 ns
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1250 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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