IXDI509SIAT/R参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXDI509SIAT/R图片1

IXDI509SIAT/R图片2

IXDI509SIAT/R图片3

IXDI509SIAT/R概述

Driver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/R

Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

贸泽:
Gate Drivers 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds

艾睿:
Driver 9A 1-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC T/R

IXDI509SIAT/R中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 25ns, 23ns

输出接口数 1

上升时间 45 ns

下降时间 40 ns

下降时间Max 40 ns

上升时间Max 45 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电源电压 4.5V ~ 30V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDI509SIAT/R

型号： IXDI509SIAT/R

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Driver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/R

替代型号IXDI509SIAT/R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXDI509SIAT/R IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXDI509SIA IXYS Semiconductor	完全替代	IXDI509SIAT/R和IXDI509SIA的区别
IXDI609SIATR IXYS Semiconductor	类似代替	IXDI509SIAT/R和IXDI609SIATR的区别
IXDI609SI IXYS Semiconductor	类似代替	IXDI509SIAT/R和IXDI609SI的区别