IRS2124SPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRS2124SPBF概述

高边 IGBT MOSFET 灌:500mA 拉:500mA

High-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC

得捷:
HIGH SIDE DRIVER IC

立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:500mA 拉:500mA

艾睿:
Driver 600V 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube

IRS2124SPBF中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 10.0V min

输出接口数 1

产品系列 IRS2124

下降时间Max 200 ns

上升时间Max 200 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IRS2124SPBF

型号： IRS2124SPBF

制造商： International Rectifier 国际整流器

描述：高边 IGBT MOSFET 灌:500mA 拉:500mA