IRS21281PBF

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IRS21281PBF概述

高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

High-Side Gate Driver IC Inverting 8-PDIP


得捷:
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI


立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA


艾睿:
Driver 600V 0.6A 1-OUT Hi Side Inv Automotive 8-Pin PDIP Tube


Verical:
Driver 600V 0.6A 1-OUT Hi Side Inv Automotive 8-Pin PDIP Tube


IRS21281PBF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

输出接口数 1

耗散功率 1 W

产品系列 IRS2128

上升时间 130 ns

下降时间 65 ns

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 130 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP

外形尺寸

封装 PDIP

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IRS21281PBF
型号: IRS21281PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

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