IRS21171SPBF概述
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
得捷:
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
艾睿:
Driver 600V 1-OUT Hi Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
Verical:
Driver 600V 1-OUT Hi Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC Tube
IRS21171SPBF中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 10.0V min
工作电压 10V ~ 20V
输出接口数 1
耗散功率 0.625 W
产品系列 IRS21171S
上升时间 130ns Max
下降时间 65ns Max
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 130 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
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