IX2R11S3T/R概述
Driver 650V 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 16Pin SOIC T/R
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
贸泽:
Gate Drivers 2 Amps 35V 7.5 Rds
艾睿:
Driver 650V 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC T/R
IX2R11S3T/R中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 8ns, 7ns
输出接口数 2
耗散功率 1250 mW
上升时间 23 ns
下降时间 22 ns
下降时间Max 22 ns
上升时间Max 23 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1250 mW
电源电压 10V ~ 35V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
高度 2.35 mm
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IX2R11S3T/R
型号： IX2R11S3T/R
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：Driver 650V 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 16Pin SOIC T/R