IS42S16100E-6TL

IS42S16100E-6TL图片1
IS42S16100E-6TL图片2
IS42S16100E-6TL概述

DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 50-TSOP II


得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II


贸泽:
DRAM 16M 1Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II


IS42S16100E-6TL中文资料参数规格
技术参数

存取时间 6 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 50

封装 TSOP-50

外形尺寸

长度 21.08 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-50

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IS42S16100E-6TL
型号: IS42S16100E-6TL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50Pin TSOP-II
替代型号IS42S16100E-6TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42S16100E-6TL

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS42S16100H-6TL

Integrated Silicon SolutionISSI

类似代替

IS42S16100E-6TL和IS42S16100H-6TL的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台