RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
静态 RAM,ISSI
**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。
电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM
得捷:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
立创商城:
IS61C256AL 12JLI TR
欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
贸泽:
静态随机存取存储器 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin SOJ 300 mil, RoHS
艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ T/R
安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ T/R
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ T/R
Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin SOJ T/R
Win Source:
IC SRAM 256KBIT 12NS 28SOJ
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 40 mA
位数 8
存取时间 12 ns
内存容量 256000 B
存取时间Max 12 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOJ-28
长度 18.54 mm
宽度 7.75 mm
高度 2.67 mm
封装 SOJ-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IS61C256AL-12JLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61C256AL-12JLI Integrated Silicon SolutionISSI | 类似代替 | IS61C256AL-12JLI-TR和IS61C256AL-12JLI的区别 |
CY7C199CN-12ZXC 赛普拉斯 | 功能相似 | IS61C256AL-12JLI-TR和CY7C199CN-12ZXC的区别 |
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