IS42S16100F-6BLI

IS42S16100F-6BLI图片1
IS42S16100F-6BLI图片2
IS42S16100F-6BLI概述

16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 60-TFBGA 6.4x10.1


得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA


贸泽:
DRAM 16M 1Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA


IS42S16100F-6BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 6ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16100F-6BLI
型号: IS42S16100F-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT
替代型号IS42S16100F-6BLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42S16100F-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS42S16100H-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

IS42S16100F-6BLI和IS42S16100H-6BLI的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台