IS42S16100F-7BLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16100F-7BLI概述

16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 143MHz 5.5ns 60-TFBGA 6.4x10.1

得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA

安富利:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 60-Pin Mini-BGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA

IS42S16100F-7BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 100 mA

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S16100F-7BLI

型号： IS42S16100F-7BLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT

替代型号IS42S16100F-7BLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S16100F-7BLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S16100F-7BL Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS42S16100F-7BLI和IS42S16100F-7BL的区别
IS42S16100E-7BLI Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS42S16100F-7BLI和IS42S16100E-7BLI的区别
IS42VM16100G-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS42S16100F-7BLI和IS42VM16100G-6BLI的区别